安徽快三 时间:MOS管电压型静电击穿特点

发布时间:2019年02月12日 13:02    发布者:渐行渐远d

河北快三 www.xvogc.cn 其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式,电压型及功率型。飞虹MOS管厂家今天要分享的电压型静电击穿的特点。





电压型击穿,即MOS管栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路,它的特点是:


(1)穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,电流有逐步增大的特征,这是因为耗尽层扩展较宽,产生电流较大。另一方面,耗尽层展宽大容易发生DIBL效应,使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。


(2)穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时,此时源端的载流子注入到耗尽层中,被耗尽层中的电场加速达到漏端,因此,穿通击穿的电流也有急剧增大点,这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同,这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流,而雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流,如不作限流,雪崩击穿的电流要大。





(3)穿通击穿一般不会出现破坏性击穿。因为穿通击穿场强没有达到雪崩击穿的场强,不会产生大量电子空穴对。


(4)穿通击穿一般发生在沟道体内,沟道表面不容易发生穿通,这主要是由于沟道注入使表面浓度比浓度大造成,所以,对NMOS管一般都有防穿通注入。


(5)一般的,鸟嘴边缘的浓度比沟道中间浓度大,所以穿通击穿一般发生在沟道中间。


(6)多晶栅长度对穿通击穿是有影响的,随着栅长度增加,击穿增大。而对雪崩击穿,严格来说也有影响,但是没有那么显著。





好了,今天飞虹MOS管厂家的分享就先到这里了,更多资讯百度搜索“广州MOS管厂家”即可找到我们。广州飞虹电子产品应用经验30年,主要研发、生产、经营:场效应管、三极管半导体器件,涉及产品种类多样、且多年为国内外一流品牌代工OEM,专注大功率MOS管制造15年,具备了国际品质的生产技艺,但却只需要国内价格。


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